English Polski Русский Slovenščina
  • Pytanie do materiału edukacyjnego

#1 Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Spider12 7 stycznia 2020, 19:58
Jeśli zwarcia nie ma, ustawiamy ograniczenie prądu w zasilaczu na 200mA i zwieramy dreny PQ8 i PQ9 - jeśli zasilacz wykryje przeciążenie, stosujemy "próbę zwarciową" jak w poprzednim przypadku.
Jeśli po zwarciu drenów (PQ8 i PQ9) prąd ustala się na poziomie nie większym niż 80mA, przyczyną jest zwykle uszkodzenie jednego z tych tranzystorów (upływność złącza G-S) bądź nieprawidłowe ich sterowanie z detektora napięcia zasilania (prąd w granicach 20-50mA) - w tym przypadku często uszkodzony jest układ ładowania, bądź też - w niektórych platformach - obwód detekcji przeciążenia.

Poproszę o wytłumaczenie mam zewrzeć dreny tak jak zaznaczyłem i wykonać próbę zwarciową ?

Obrazek

Obecnie mam płytę COMPAL LA-5141P REV 1.0 , płytę przeznaczyłem na straty stąd specjalnie uszkodziłem tranzystor wejściowy by zobaczyć naocznie w ramach działań edukacyjnych czy faktycznie uda mi się wykryć przebicie złącza bramka - źródło obserwując wielkość prądu na zasilaczu serwisowym i porównując z tym co w materiale edukacyjnym , niestety nie udało mi się pobór prądu wynosi 0 mA ,podając w gałąź B+ 19 V .
W tej płycie na wejściu zastosowany jest tylko jeden tranzystor zwarłem więc dren i źródło podając 19 V oto schemat :

Obrazek

tylko w tym przypadku układ detekcji zasilania nie dostaje napięcia VIN gdyż uniemożliwia to dioda , czy mam zmostkować przed diodą do drenu ? czy tu mam się dopatrywać przyczyny nie udanego eksperymentu?

układ detekcji w tej płycie:

Obrazek

Pozdrawiam Dawid

Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Google Adsense [BOT] 7 stycznia 2020, 19:58

#2 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez matic 7 stycznia 2020, 22:23
Spider12 napisał(a):Poproszę o wytłumaczenie mam zewrzeć dreny tak jak zaznaczyłem i wykonać próbę zwarciową ?
Yes, exactly.
If the power supply "jumps" to the constant current mode after connecting to the board this way it is most likely a short circuit to ground on main power rail "VIN" or "B+". If so, it is best to perform a short circuit test at lower voltage limit (for example at 1V) to prevent possible further damage on the board in the case that one of the upper transistors in DC/DC converters is damaged.
It is also recommended to perform a short circuit test directly on power rail "VIN" or "B+" to prevent the possible damage on input filter coils (or ferite beads) which is usually connected right behind the DC socket.

Spider12 napisał(a):W tej płycie na wejściu zastosowany jest tylko jeden tranzystor
In this case one transistor is substituted with a diode to reduce the cost of components.

Spider12 napisał(a):tylko w tym przypadku układ detekcji zasilania nie dostaje napięcia VIN gdyż uniemożliwia to dioda
The diode is connected in a conduction direction, so it should not block the voltage, unless it is damaged. You can bridge the "VIN" pin directly to the "P3" to omit the function of diode and transistor.
If you want to perform a short circuit test on this board, it should be performed after the diode (and transistor) on pin "P2", because only this diode will gets hot during a short circuit test at higher currents.

#3 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Vogelek23 8 stycznia 2020, 03:21
Spider12 napisał(a):tylko w tym przypadku układ detekcji zasilania nie dostaje napięcia VIN gdyż uniemożliwia to dioda , czy mam zmostkować przed diodą do drenu ?
Wydaje mi się, że nie rozumiesz tego obwodu albo nie umiesz czytać schematów. Układ detekcji zasilania jest tutaj zrealizowany na układzie PU1(A). Jeśli napięcie zasilania ma wartość wyższą, niż 18V, sygnały ACIN i PACIN przyjmują stan wysoki (poziom 4,3V - napięcie to jest ustalane diodą Zenera PD3). W konsekwencji tego, blokowany jest tranzystor PQ12 (poprzez wyłączenie PQ38) oraz załączany jest PQ10 (poprzez włączenie PQ39 i PQ44 oraz wyłączenie PQ33 i PQ34). Próba zwarciowa w przypadku obwodu jednotranzystorowego sprowadza się do zwarcia amperomierzem drenu ze źródłem tego tranzystora, przy czym dioda PD13 nie ma tu żadnego wpływu na skuteczność próby, o ile oczywiście sama nie jest uszkodzona (przerwa). Nie rozumiem w ogóle, w jakim celu podajesz 19V w gałąź B+ i czego oczekujesz po takim działaniu - zwłaszcza, że w Szkoleniu nie ma o tym najmniejszej wzmianki. Zasilanie do próby z ominięciem tranzystorów wejściowych (napięcie 19V) podajesz na początek wprost na gniazdo zasilania PJP1 i dopiero gdy zwarcie drenu ze źródłem PQ10 wykaże, że w gałęzi B+ jest przeciążenie lub zwarcie do masy, wykonujesz próbę zwarciową (napięciem 1V) w tej gałęzi - głównym celem jest ominięcie obwodu z elementami PD13 i PQ10, na których traciłaby się spora moc przy wykonywaniu próby zwarciowej, co powodowałoby silne nagrzewanie się tych elementów, zamiast elementu zwierającego w gałęzi B+.

Spider12 napisał(a):czy tu mam się dopatrywać przyczyny nie udanego eksperymentu?
Przyczynę nieudanego eksperymentu znajdziesz w błędnym rozumieniu zasad wykonywania próby zwarciowej, którą stosuje się wyłącznie w celu ujawnienia elementu, zwierającego daną gałąź zasilania, jeśli zwarcie lub przeciążenie jest już wykryte. Omijanie tranzystorów wejściowych (zwieranie amperomierzem ich drenów czy w Twoim przypadku zwieranie drenu do źródła tranzystora PQ10) ma natomiast na celu przekonanie się, czy w obwodzie B+ (lub za nim) jest przeciążenie lub zwarcie do masy. Jeśli JEST, stosujemy próbę zwarciową w gałęzi B+. Jeśli NIE MA oraz płyta zaczyna poprawnie działać, uszkodzenie jest w obwodzie tranzystorów wejściowych. Jeśli NIE MA lecz płyta nadal pozostaje martwa, uszkodzenie jest ZA obwodem tranzystorów wejściowych.

Spider12 napisał(a):płytę przeznaczyłem na straty stąd specjalnie uszkodziłem tranzystor wejściowy by zobaczyć naocznie w ramach działań edukacyjnych czy faktycznie uda mi się wykryć przebicie złącza bramka - źródło obserwując wielkość prądu na zasilaczu serwisowym i porównując z tym co w materiale edukacyjnym , niestety nie udało mi się
Zasadnicze pytania:
- czy płyta była w pełni sprawna przed uszkodzeniem tranzystora wejściowego?
- w jaki sposób uszkodziłeś tranzystor wejściowy?

#4 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Spider12 8 stycznia 2020, 11:11
- czy płyta była w pełni sprawna przed uszkodzeniem tranzystora wejściowego?


1.Zasilanie miała w pełni sprawne natomiast cała płyta nie wyświetlała obrazu

- w jaki sposób uszkodziłeś tranzystor wejściowy?


2.podając napięcie plus 20 V na bramkę tranzystora mosfet typu p , w skutek czego złącze G-S dostało zwarcia . Dlatego zastanawiałem się czemu amperomierz nie wskazywał żadnego poboru prądu wyszczególnionego w szkoleniu:
Jeśli po zwarciu drenów (PQ8 i PQ9) prąd ustala się na poziomie nie większym niż 80mA, przyczyną jest zwykle uszkodzenie jednego z tych tranzystorów (upływność złącza G-S) bądź nieprawidłowe ich sterowanie z detektora napięcia zasilania (prąd w granicach 20-50mA) - w tym przypadku często uszkodzony jest układ ładowania, bądź też - w niektórych platformach - obwód detekcji przeciążenia.



Pytanie odnośnie tego co napisałeś wyżej:

celem jest ominiecie PD13 i PQ10 , na których traciłaby się spora moc przy wykonaniu próby zwarciowej


3. przecież PQ10 jest mostkowane na złączu dren źródło to czemu miałoby się wydzielić na nim jakaś spora moc,podczas wykonywania próby zwarciowej 1 V ?

Pytanie do lekcji i usterki nr2:

Jeśli ograniczenie prądu nie włączy się (pobierany przez płytę prąd jest mniejszy niż ustawione ograniczenie), zwiększamy powoli napięcie do 19V (chyba, że ograniczenie prądowe zadziała wcześniej, wtedy bezwzględnie zatrzymujemy zwiększanie napięcia!). Jeśli nic się nie nagrzewa, zwiększamy zakres ogranicznika prądu do 1A i badamy dalej.


4. A co jeśli górny tranzystor , którejś z przetwornic ma zwarcie , a ja będę podnosił to 1 V zbliżając się do napięcia 19 V upale coś dalej np. chipset ,czyli przed podniesieniem napięcia 1 V trzeba sprawdzić czy to 1V przechodzi na linie zasilania którejś z przetwornic poprzez uszkodzony górny klucz?

Może czegoś nie zrozumiałem bądź nie dostrzegłem, dziękuje za stopniowe wyprowadzanie mnie z mgły. :D

#5 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Vogelek23 8 stycznia 2020, 20:53
Spider12 napisał(a):1.Zasilanie miała w pełni sprawne natomiast cała płyta nie wyświetlała obrazu
Skoro płyta wcześniej włączała się bez obrazu, a teraz po zmostkowaniu D-S tranzystora PQ10 nie włącza się wcale, to znaczy, że uszkodziłeś więcej, niż tylko PQ10.

Spider12 napisał(a):2.podając napięcie plus 20 V na bramkę tranzystora mosfet typu p , w skutek czego złącze G-S dostało zwarcia . Dlatego zastanawiałem się czemu amperomierz nie wskazywał żadnego poboru prądu wyszczególnionego w szkoleniu:
Maksymalne napięcie G-S tranzystora P1403EV8 wynosi katalogowo ±25V, toteż napięcie 20V na bramce (bez względu na polaryzację) nie powinno w żaden sposób uszkodzić tego tranzystora.

Spider12 napisał(a):3. przecież PQ10 jest mostkowane na złączu dren źródło to czemu miałoby się wydzielić na nim jakaś spora moc,podczas wykonywania próby zwarciowej 1V ?
Istotnie, w przypadku zmostkowania G-S tranzystora PQ10, teoretycznie nie powinien przez niego płynąć prąd (lub jakaś niewielka wartość). Jednakże w praktyce wszystko zależy od typu użytego mostka. Niektórzy łączą dren ze źródłem cienkim przewodem, który jest niewystarczającym bocznikiem, zwłaszcza w przypadku "wpuszczania" na płytę prądów rzędu 8-10A. W takim wypadku przewód działa jak zwykły rezystor drutowy, na którym wytraca się tylko część dostarczanej mocy - a ponieważ reszta mocy też musi gdzieś się wytracić, robi to m.in. na tranzystorze (oraz na diodzie PD13, jako że jest ona połączona szeregowo z tranzystorem). Jednakże faktem jest, że takie przypadki są bardzo rzadkie i zbocznikowanie tranzystora amperomierzem najczęściej wystarcza, aby ominąć ten element i wykluczyć jego wpływ na efekty próby zwarciowej.

#6 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Spider12 8 stycznia 2020, 21:19
Skoro płyta wcześniej włączała się bez obrazu, a teraz po zmostkowaniu D-S tranzystora PQ10 nie włącza się wcale, to znaczy, że uszkodziłeś więcej, niż tylko PQ10


Nie po zmostkowaniu złącza D-S płyta wstaje zasilanie obecne na wszystkich gałęziach płyta miała problem z układem graficznym ale przeznaczyłem ją na straty i do celów edukacyjnych i to dlatego uszkodziłem , PQ10 natomiast uszkodziłem podając 20 V plusem na bramkę , nie wiem jak ale udało mi się i złącze G-S ma zwarcie na mierniku , natomiast po narzuceniu mostku na zlączę D-S prąd kształtuje się na poziomie 20 mA więc układ zabezpieczający nie wykrywa uszkodzenia PQ10, i
nie objawia się to poborem prądu tak jak napisałeś w szkoleniu 80mA uszkodzeniu w przypadku uszkodzenia tranzystorów wejściowych w tym przypadku jednego.

#7 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Vogelek23 8 stycznia 2020, 21:42
Spider12 napisał(a):i nie objawia się to poborem prądu tak jak napisałeś w szkoleniu 80mA
Nieuważnie czytasz i potem takie "kwiatki"... Napisałem jasno:
Vogelek23 napisał(a):Jeśli po zwarciu drenów (PQ8 i PQ9) prąd ustala się na poziomie nie większym niż 80mA...
20mA to nie więcej, niż 80mA, nieprawdaż? ;)

#8 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Spider12 8 stycznia 2020, 21:46
tak ale płyta pobierała również 20 mA przed umyślnym uszkodzeniem PQ10.

#9 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Vogelek23 8 stycznia 2020, 21:51
Spider12 napisał(a):tak ale płyta pobierała również 20 mA przed umyślnym uszkodzeniem PQ10.
W pierwszym poście napisałeś coś kompletnie innego:
Spider12 napisał(a):niestety nie udało mi się pobór prądu wynosi 0 mA ,podając w gałąź B+ 19 V .
I w tym momencie zaczynam się już gubić w treści Twoich postów.

#10 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Spider12 8 stycznia 2020, 21:59
:) Sorry trochę namieszałem w tej chwili prąd wynosi 20 mA po zmostkowaniu złącza D-S , z PQ10 ,który ma zwarcie na drut w złączu G-S , czy można wnioskować zatem po tym poborze prądu że jest uszkodzony PQ10 na złączy G-S ?

#11 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Vogelek23 9 stycznia 2020, 01:07
Z punktu widzenia diagnostyki: jeśli mierzysz napięcia do masy na PQ10 i widzisz, że na bramce i źródle masz identyczne napięcie (19V), a na drenie nie masz nic lub napięcie jest wyraźnie niższe, niż te 19V, to z automatu sprawdzasz rezystancję złącza G-S. Kolejno, jeśli zewrzesz kanał D-S tranzystora PQ10 i prąd, pobierany z zasilacza nie będzie wyższy, niż 80mA, z automatu sprawdzasz rezystancję złącza G-S. Robisz to BEZ WZGLĘDU NA TO, jaki masz prąd przed zwarciem kanału D-S (obojętnie, czy to jest 0mA, czy 20mA, czy 50mA).

#12 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Spider12 9 stycznia 2020, 09:15
Wertując trochę w temacie dlaczego zaczyna się od podania na wejściu 19 V i zwarciu D-S tranzystora wejściowego sprawdzając w ten sposób czy po drugiej stronie jest przeciążenie przecież to ryzyko bo gdyby ,któryś górny klucz przetwornic np. tej od procka miał zwarcie to podanie w gałąź B+ pełnego 19 V zabije go .

Nie powinno się sprawdzić miernikiem na początku gałąź B+ jeśli jest zwarcie bądź rezystancja jest niepokojąco mała zrobić próbę zwarciową z napięciem 1 V w tym obwodzie , czy jeśli górny tranzystor przetwornicy będzie miał przebicie pokarze mi się ono na wyjściu którejś z przetwornic a 1 V nie zabije chipsetu ani procka.

Czy moje myślenie jest prawidłowe ?

Ostatnio edytowano 9 stycznia 2020, 09:31 przez Spider12, łącznie edytowano 1 raz

#13 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Vogelek23 9 stycznia 2020, 09:26
Spider12 napisał(a):przecież to ryzyko bo gdyby ,któryś górny klucz przetwornic np. tej od procka miał zwarcie to podanie w gałąź B+ pełnego 19 V zabije go .
Znów wychodzi na jaw nieuważne czytanie - po to właśnie stosujemy ograniczenie prądu do 200mA przy tej próbie, aby nie "usmażyć" zasilanych obwodów (jest to nawet zaraz na początku zdania, które zacytowałeś w pierwszym poście). Proponuję przeczytać Szkolenie nr 1 raz jeszcze, tym razem skupiając się dużo bardziej na treści.

A dlaczego akurat 19V? Bo jeśli dalsze obwody są sprawne a uszkodzony jest tylko klucz wejściowy, to płyta zacznie normalnie działać. Natomiast przy napięciu wejściowym niższym, niż 18V i działającej reszcie, płyta nie wyjdzie ze stanu protekcji zbyt niskiego napięcia AC i nie będziemy mieli w ogóle świadomości, że jest sprawna a my mamy tylko uszkodzony tranzystor wejściowy.

Spider12 napisał(a):Nie powinno się sprawdzić miernikiem na początku gałąź B+ jeśli jest zwarcie bądź rezystancja jest niepokojąco mała zrobić próbę zwarciową z napięciem 1 V w tym obwodzie
W wielu przypadkach nie ma czystego zwarcia czy widocznego zaniżenia rezystancji do masy w gałęzi B+ i dlatego stosuje się zwieranie obwodu wejściowego przy ograniczeniu prądu do 200mA. Rzecz jasna, że należy zacząć od pomiaru rezystancji do masy gałęzi B+ zanim wpuścimy tam jakiekolwiek napięcie - jeśli jest zwarcie lub podejrzanie niska rezystancja, nie wykonujemy testu ominięcia obwodu wejściowego i przechodzimy od razu do próby zwarciowej napięciem 1V na B+ (tutaj Twoje rozumowanie jest jak najbardziej prawidłowe).

Spider12 napisał(a):czy jeśli górny tranzystor przetwornicy będzie miał przebicie pokarze mi się ono na wyjściu którejś z przetwornic a 1 V nie zabije chipsetu ani procka.
Nie przy ograniczeniu prądu z zasilacza do 200mA - takie ograniczenie powoduje, że w przypadku zwarcia prąd zostaje natychmiast zredukowany, a napięcie zasilacza spadnie do wartości bliskich zeru (zasilacz przejdzie w tryb stabilizacji prądu). No chyba, że tą próbę robisz nie zasilaczem warsztatowym, a ładowarką - tutaj istnieje spore ryzyko, że udar prądowy uszkodzi obwody niskonapięciowe. Dlatego w Szkoleniu stanowczo odradzam takie "eksperymenty" z użyciem fabrycznej ładowarki.

#14 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Spider12 9 stycznia 2020, 10:12
aha już wychodzę z mgły bo rzuciłeś mi sznurek :D
Ok to jeśli mamy zwarcie na tym nieszczęsnym kluczu górnym ,którejś z przetwornic to jak do tego dojść sprawdzając rezystancje wyjść przetwornicy w stosunku do głównej gałęzi B+?
Czy może organoleptycznie wyczuć ciepło na tym tranzystorze?
Czy może sprawdzić czy górny klucz gdziekolwiek puszcza napięcie z lini B+?

Jak to wygląda w praktyce?

#15 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego  [ROZWIĄZANY]


przez Vogelek23 9 stycznia 2020, 13:11
Spider12 napisał(a):Ok to jeśli mamy zwarcie na tym nieszczęsnym kluczu górnym ,którejś z przetwornic to jak do tego dojść sprawdzając rezystancje wyjść przetwornicy w stosunku do głównej gałęzi B+?
Pomiar rezystancji na cewkach przetwornic do PLUSA zasilania (w tym konkretnym przypadku do B+) wydaje się oczywistym wyborem. Coraz częściej jednak pojawiają się konstrukcje, w których napięcie B+ jest brane z wyjścia obwodu ładowania baterii (B+ jest produkowane przez charger, zamiast brane z głównej gałęzi zasilania), zaś część kluczy przetwornic jest zasilana z innych gałęzi (np. 5V) i tam zwarcie górnego klucza nie jest już takie proste do wychwycenia.

Spider12 napisał(a):Czy może organoleptycznie wyczuć ciepło na tym tranzystorze?
Wykonując próbę zwarciową, wpuszcza się coraz większy prąd, aby wychwycić grzejący się element. Jeśli zauważysz, że któryś z rdzeni układów BGA robi się ciepły, natychmiast przerywasz próbę zwarciową i badasz obwody zasilania tego układu. To też jest opisane w Szkoleniu ;)

Spider12 napisał(a):Czy może sprawdzić czy górny klucz gdziekolwiek puszcza napięcie z lini B+?
Nie można każdorazowo wiązać obecności napięcia na cewce z uszkodzeniem górnego klucza. Jest bowiem wiele innych czynników, które mogą to powodować (np. uszkodzony kontroler, który częściowo otwiera górny klucz).

#16 Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Spider12 9 stycznia 2020, 20:36
Miałeś rację PQ10 był dobry zwarcie między drenem a bramką robił PQ33 .

Obrazek

Re: Pytanie do materiału edukacyjnego


przez Google Adsense [BOT] 9 stycznia 2020, 20:36

Kto przegląda forum

Użytkownicy przeglądający ten dział: Brak zidentyfikowanych użytkowników i 1 gość

_______________________________
Wszelkie prawa zastrzeżone. Zabrania się kopiowania jakichkolwiek treści i elementów witryny bez zezwolenia.
Wszelkie opublikowane na tej stronie znaki handlowe, nazwy marek, produktów czy usług należą do ich prawnych właścicieli i zostały użyte wyłącznie w celach informacyjnych.