krzysztof000 ha scritto:czy można na szybko sprawdzić czy jest on przebity?
Tak. Ponieważ jest to N-MOSFET, wykonujesz dwa pomiary na zakresie diod - najpierw czarna sonda do bramki a czerwona do źródła (żeby rozładować bramkę), a następnie czarna do źródła a czerwona do drenu. Jeśli w obu przypadkach jest otwarty obwód (miernik nie wyświetli żadnych wartości) to odwracasz sondy (czarna do drenu, czerwona do źródła) i sprawdzasz, czy masz spadek napięcia około 400-700mV (ten tranzystor nie ma zintegrowanej diody Schottky'ego, która dawałaby spadek ok. 100-300mV). Oczywiście jeśli wszystko jest w porządku, to nadal nie gwarantuje pełnej sprawności tranzystora, ale przynajmniej wiemy, że tranzystor nie jest przebity. Jeśli w którymkolwiek punkcie masz inne wskazania niż podane wyżej, to tranzystor jest uszkodzony.
krzysztof000 ha scritto:Czy kolor sond tutaj ma znaczenie gdzie przykładam (dren-źródło)?
Pisałem to już wielokrotnie, ale powtórzę. Tranzystor typu MOSFET ma między drenem a źródłem zintegrowaną pasożytniczą diodę, która nie jest celowym elementem (choć niektóre tranzystory mają celowo zintegrowaną diodę Schottky'ego), lecz wynikiem metody produkcji tranzystora. Jeśli w tranzystorze z kanałem N przyłożysz czerwoną sondę do drenu a czarną do źródła, to miernik powinien pokazać otwarty obwód (przepełnienie). Zamieniając sondy miejscami, powinieneś mieć spadek napięcia 400-700mV na tej pasożytniczej diodzie. Odwrotnie jest z tranzystorami z kanałem P - spadek napięcia powinien się pokazać jedynie, gdy czerwona sonda jest na drenie, a czarna na źródle.
krzysztof000 ha scritto:Czy mogę w ten sposób sprawdzić mosfet po wylutowaniu czy "dzwoni"?
Tak, ale musisz odczekać po wylutowaniu tranzystora, aż ten ostygnie. To też już pisałem wiele razy, ale powtórzę - nagrzany do temperatury powyżej 150 stopni tranzystor MOSFET (sprawny) wykazuje zwarcie drenu ze źródłem przy badaniu miernikiem. Po wystygnięciu elementu "zwarcie" ustępuje.