Acer Nitro 5 AN515-52 DH5VF LA-F952P REV 1.0 - zwarcie, laptop się nie włącza.

Witam, mam laptopa o oznaczeniu płyty DH5VF LA-F952P. Laptop po podłączeniu zasilania ma pełne zwarcie i grzeje się PQ311.

PQ311:
Bramka - Źródło - 0,01V
Bramka - Dren - 0,493V
Dren - Źródło -0,493

PQ310
Bramka - Źródło - 0,01V
Bramka - Dren - 0,02V
Dren - Źródło -0,01V

Po wylutowaniu PQ310

PQ311
Bramka - Źródło - 0,556V
Bramka - Dren - OL
Dren - Źródło -0,431V

Pola po PQ311
Bramka - Źródło - 0,599V
Bramka - Dren - OL
Dren - Źródło -OL

Dobrze rozumiem, ze mam wymienić PQ310? Czy AON6312 będzie odpowiedni? PQ310 to EMB04N03H

Measure the resistance to ground on pin 8 of PQ311.

Machine написав:Measure the resistance to ground on pin 8 of PQ311.

2,8 ohm

You have a short on the +19VB line.
Do the test described here on pin 8 of PQ311 (explained at the end of lesson 3):
post5699.html#p5699

1V 3A jednak zasilacz nie pokazuje zwarcia. Delikatnie grzeje sie procesor.

Put the black test lead on pin 8 of PQ311 and the red test lead on all the coils and report the resistance.

PL402 - 5,88 kOhm
PL301 - 9 kOhm
PL602 - 36 Ohm
PL502 - 130 Ohm
PL404 - 31 kOhm
PL1501 - 6 Ohm
PL1504 - 6 Ohm
PL1302 - 100 Ohm
PL8301 - 28 Ohm
PL8106 - 4,8 Ohm
PL8305 - 4,8 Ohm
PL8306 - 5,2 Ohm
PL8101 - 5,2 Ohm
PL8107 - 14 Ohm
PL7202 - 65 Ohm

PQ8104 - źródło - dren - 0,01 V
PQ8103 - źródło - dren - 0,01 V
PQ8102 - źródło - dren - 0,01 V
PQ8101 - źródło - dren - 0,01 V
PQ8105 - źródło - dren - 0,01 V

Sn4Q написав:PQ8105 - źródło - dren - 0,01 V

Które źródło i który dren? Bo wszystkie 5 podanych tranzystorów to podwójne MOSFETy. W sumie to nieistotne - wylutuj dławiki PL8102 oraz PL8103 i ponów pomiar rezystancji do masy na pinie 8 tranzystora PQ311.

Vogelek23 написав:

Sn4Q написав:PQ8105 - źródło - dren - 0,01 V

Które źródło i który dren? Bo wszystkie 5 podanych tranzystorów to podwójne MOSFETy. W sumie to nieistotne - wylutuj dławiki PL8102 oraz PL8103 i ponów pomiar rezystancji do masy na pinie 8 tranzystora PQ311.

0,5Mohm bez wlutowanego PQ311 bo gdzieś mi odprysnął i trwają poszukiwania.

Znalazłem układ i pomiar ten sam, natomiast między brama a źródłem jest spadek napięcia 0,01v. Wymieniłem PQ310 o oznaczeniu EMB04N03H na AON6312 i spadek napięcia między brama a źródłem wzrósł do OL/0,598v. Identycznie jest w przypadku PQ310 gdzie wcześniej spadek był również 0,01V

Czyli poprawiło się. To oznacza, że jeden z tranzystorów PQ8101 - PQ8105 jest uszkodzony. Zalutuj z powrotem oba dławiki i wylutuj PQ8101, a następnie ponów pomiar rezystancji do masy na n. 8 PQ311 - jeśli rezystancja będzie nadal mała, wylutuj kolejny PQ8102 i ponów pomiar rezystancji na n. 8 PQ311. I tak do momentu, aż rezystancja nie wzrośnie do tych setek kiloomów.

WAŻNE: pamiętaj, by po każdym wylutowaniu tranzystora odczekać kilka minut, aż płyta przestygnie - nagrzane MOSFETy potrafią wykazywać zwarcie.

Po wylutowaniu:
PQ8104 - bez zmian
PQ8103 - wzrost rezystancji do 2kohm
PQ8102 - wzrost rezystancji do 160kohm

W chwili obecnej 3 układy są wylutowane

Change PQ8104, PQ8103, PQ8102 and check again if the resistance to ground on pin 8 of PQ311 remains high.

Są to mosfety AON6962, czy mogę użyć AON6992?

Tak, możesz.

Machine написав:Change PQ8104, PQ8103, PQ8102 and check again if the resistance to ground on pin 8 of PQ311 remains high.

Wymieniłem i rezystancja na 8 nodze wynosi ponad 150kohm.

Myslalem, ze na tym koniec i próbowałem go uruchomić ale znów padł mi PQ8104..Wymieniłem go i teraz znów mam 150kohm

To lutowanie jest kiepskie, delikatnie mówiąc - czy Ty lutujesz te tranzystory "kolbówką"?

Tu akurat hotem. Lutownicą robolem pola zanim położyłem układ. Już to poprawiam

Poprawione, miałem chyba zbyt dużo cyny i wypłynęła. Jakie są dalsze kroki?

Sn4Q написав:ale znów padł mi PQ8104

Która połówka - górna czy dolna?

Vogelek23 написав:

Sn4Q написав:ale znów padł mi PQ8104

Która połówka - górna czy dolna?

Nie bardzo rozumiem pytanie. Padł mi układ, który już wcześniej wymieniałem. Chyba, ze pytasz o stronę płyty to strona z procesorem