Samsung R540,brak obrazu

Witam mam problem z laptopem Samsung NP R540 JA06PL z płytą główną BA41-01220A Bremen C Rev 1.1(100210)-4.Po włączeniu zapala diody i wentylator kręci się cały czas na wysokich obrotach
Wykonałem pomiary cewek na włączonym zasilaniu z odpiętą wiązką matrycy :
L1 -0.36V
L2-0V
L3- 0V
L4- 3.34V
L5- 0,88V
L6- 5.09V
L7- 1.07V
L8- 1,49V
Wszystkie napięcia mierzone do masy.Niepracujące cewki L2 i L3 są zdaje się są zasilane przez Mosfety o oznaczeniu 6414A DV043D. Do mosfetów dochodzi zasilanie 18.79V,jednak na ich wyjściu nie pojawia się napięcie. Czy mogą być przyczyną te 2 mosfety czy może ich sterowanie,niestety nie mogłem znaleźć nigdzie schematu tej płyty głównej dlatego proszę o pomoc pozdrawiam

przemek2691 napisał(a):L2-0V
L3- 0V

Proszę zmierzyć rezystancję do masy na tych cewkach przy włożonym i wyciągniętym procesorze.

przemek2691 napisał(a):niestety nie mogłem znaleźć nigdzie schematu tej płyty głównej

Ależ jest u nas na forum od niemal 10 lat: schemat-samsung-np-r530-np-r730-bremen-c-ba41-01218a-ba41-01219a-ba41-01220a-t50462.html

Z procesorem
L2 -137.5 Ohm
L3-137.5 Ohm
bez procesora rezystancja rośnie ,po przełączeniu multimetru na największy zakres pomiaru wyświetla 1,1 MOhm chociaż przy tym pomiarze nie wiem czy multimetr nie przekłamał

Czyli zwarcia nie ma. Kolejno, proszę zmierzyć napięcia do masy na nóżkach: 22, 26, 29, 33, 35, 37, 38, 39 i 40 układu U501 (TPS51621). Warunki pomiarów: zasilanie tylko z zasilacza (bateria odłączona), płyta włączona.

Ok Jeśli dobrze założyłem że nóżka nr 1 to ta oznaczona trójkątem to pomiary przedstawiają się tak:
22- 4,62V
26- 5,06V
29-4,69V
33- 0,13V
35- 3,33V
37- 1,24V
38- 5,05V
39- 3,22V
40- 1,70V
Na wszelki wypadek załączam zdj poglądowe

Zmierz rezystancje między:
- bramką (4) i źródłem (1-3) tranzystora Q3.
- bramką (4) i źródłem (1-3) tranzystora Q6.
Zasilanie całkowicie ODŁĄCZONE.

Czy trzeba je wylutować z układu?Dla obu tranzystorów w układzie rezystancja na mniejszym zakresie zaczyna się od kilkunastu k Ohm i rośnie po przełączeniu na największy zakres 1 MOhm

przemek2691 napisał(a):Czy trzeba je wylutować z układu?

Z pewnością bym Ci to napisał, gdyby było konieczne. Nie trzeba. Wymień U501.

Witam.Na chwilę obecną układ wymieniony na cewkach L2-L3 gdzie było 0V pojawiło się napięcie 0,32V,lecz nic poza tym , po 3 włączeniach natomiast zaczął się grzać tranzystor Q501 - 4435D ,a w zasilaczu włącza się zabezpieczenie przeciwzwarciowe przy podłączeniu.

Pomierz rezystancję (bez zasilania)
1. G-D
2. D-S
3. G-S


Pewnie i tak czeka Cię próba zwarciowa, albo znalezienie typowo padającego kondensatora na tej płycie.

Rezystancje 4435:
G-D 4 MOhm i rośnie
D-S 1,33 MOhm
G-S 100 kOhm
Po odwróceniu sond miejscami"
D-G 1.35 MOhm
S-D 1 MOhm i rośnie
S-G 100 kOhm

Czeka Cię próba zwarciowa w okolicy tego elementu, bo sam element zwarcia nie ma. Grzeje się pewnie przez zwarty (albo padający) kondensator na linii tego Q501.

Czy jest inny sposób znalezienia uszkodzenia, nie mam niestety dostępu do zasilacza laboratoryjnego by ją wykonać,ogólnie sporo elementów teraz wykazuje przejście na mierniku więc wydaje mi się że może nie jest to wina jednego zwartego kondensatora,czy może że padł nowy U501 nie nagrzewając się przy tym. Sprawdziłem jeszcze przy pomocy IPA umieszczając małe krople na układach które układy grzeją się na tyle że szybciej odparowuje i są to dwa sąsiadujące ze sobą 4435 Q501 i Q502 troche mniej oraz Q3(zauważalnie bardziej w porównaniu do Q6,Q5,Q4) znajdujący się przy cewce L 2. Tranzystory te bez procesora grzeją się nadal chociaż trochę mniej ,z czego najbardziej nagrzewa się Q3

przemek2691 napisał(a):nie mam niestety dostępu do zasilacza laboratoryjnego by ją wykonać

To my niestety nie będziemy w stanie Tobie pomóc - brak narzędzi diagnostycznych uniemożliwia wykonanie diagnostyki.

przemek2691 napisał(a):ogólnie sporo elementów teraz wykazuje przejście na mierniku więc wydaje mi się że może nie jest to wina jednego zwartego kondensatora

Bardzo często zwarcia w wielu miejscach oznaczają jeden przebity kondensator, więc źle Ci się wydaje. I próba zwarciowa ma właśnie na celu wykrycie tego jednego elementu, zamiast wylutowywania dziesiątków kondensatorów, podłączonych pod tę samą gałąź zasilania. Skoro jednak nie masz zasilacza serwisowego, będziesz zmuszony otworzyć schemat i boardview płyty i wylutowywać po kolei wszystkie elementy w tej gałęzi, aby namierzyć ten zwierający.

przemek2691 napisał(a):Sprawdziłem jeszcze przy pomocy IPA umieszczając małe krople na układach które układy grzeją się na tyle że szybciej odparowuje i są to dwa sąsiadujące ze sobą 4435 Q501 i Q502 troche mniej oraz Q3(zauważalnie bardziej w porównaniu do Q6,Q5,Q4) znajdujący się przy cewce L 2.

Jaka jest rezystancja do masy na źródle tranzystora Q502? Zmierz także rezystancje między drenem i źródłem tranzystorów Q3-Q6 (czyli wszystkich w przetwornicy CPU).

Metoda na palce w moim przypadku nie działa (nie jestem w stanie nimi wyczuć tak małego, cieplejszego punktu) - za to suchymi ustami znalazłem raz miejsce uszkodzenia i potem już przy pomocy IPA doszedłem dokładnie który to.
Potem zmądrzałem i kupiłem zasilacz laboratoryjny
Trochę głupio to wygląda, jakby ktoś popatrzył z boku i sporo czasu, ale jak Ci się chce
Możesz też pomierzyć wszystkie wymienione Q pod kątem rezystancji między D-S-G (powinny być wartości w kOhm i/lub mOhm), może jakiś inny tranzystor jeszcze padł, ale raczej jest tak, jak napisał Vogelek.

ctro napisał(a):Metoda na palce w moim przypadku nie działa (nie jestem w stanie nimi wyczuć tak małego, cieplejszego punktu) - za to suchymi ustami znalazłem raz miejsce uszkodzenia i potem już przy pomocy IPA doszedłem dokładnie który to.

Zacznij używać sprężonego powietrza w puszce, obróconej do góry nogami, jak opisałem w dziale SZKOLENIA - nie będziesz musiał "całować" płyty, aby znaleźć grzejący się obszar. Metoda "na śnieg" jest najlepsza do zawężania obszaru poszukiwań zwarć, jeśli zwarcie jest w gałęzi głównej, której węzły rozsiane są po całej płycie i po obu jej stronach.

Rezystancja do masy na źródle tranzystora Q502 to 1,3 Ohm i pokazuje przejście pomiędzy masą a źródłem,a pomiędzy drenem a źródłem tranzystorów:
Q3 0,06 Ohm
Q4 0,09 Ohm
Q5 0,09Ohm
Q6 0,06Ohm
Do tej wersji płyty pierwszy schemat z wątku:

Vogelek23 napisał(a):schemat-samsung-np-r530-np-r730-bremen-c-ba41-01218a-ba41-01219a-ba41-01220a-t50462.html

będzie właściwy?

ctro napisał(a):Potem zmądrzałem i kupiłem zasilacz laboratoryjny

Również muszę jakiś zakupić, bo coraz częściej mi się zdarza robić coś przy płytach.

przemek2691 napisał(a):a pomiędzy drenem a źródłem tranzystorów:
Q3 0,06 Ohm
Q4 0,09 Ohm
Q5 0,09Ohm
Q6 0,06Ohm

Wylutuj wszystkie te tranzystory i zmierz ponownie rezystancje D-S poza płytą na wszystkich 4 tranzystorach. Przy wylutowywaniu oznacz sobie, który jest który i podaj wyniki pomiarów jak wyżej. Ponadto, wymieniłeś U501 - czy zamontowałeś go poprawnie? Wstaw zdjęcia.

Witam ,jako że z tych 4 Tranzystorów najbardziej grzał się Q3 wylutowałem go jako pierwszego,okazało się że to on zwierał mase ze źródłęm Q502, Pomiary rezystancji pomiędzy D-S poza płytą przedstawiają się tak:
Sonda "minus" na Drenie:
Q3 zwarty
Q4 1.17kOhm
Q5 1,20kOhm
Q6 1,45MOhm
Sonda"plus" na Drenie:
Q3 zwarty
Q4 0,52 MOhm
Q5 0,70 MOhm
Q6 poza zakresem
Q3 zatem idzie do zamówienia,pozostałe 3 wydają się pracować przy odwróceniu sond miejscami na teście diody i przyłożeniu jednej do bramki i na odwrót zmieniają stan przewodzenia. Czy w tym wypadku wystarczy wymiana zwartego tranzystora czy lepiej wymienić wszystkie cztery?
Dodatkowo Pady lutownicze źródeł Q3 ,Q4,Q5,Q6 oraz Drenów Q4 i Q5 wykazują przejście do masy w obu kierunkach na teście diodowym
Co do układu U501 wlutowałem go tak jak siedział stary ,był tylko minimalnie wysunięty w stronę brzegu płyty ale po wlutowaniu nie było zwarć pomiędzy pinami ani do masy a sama płyta uruchomiła się kilka razy, teraz udało mi się go wypozycjonować lepiej, niestety odkryło to jeden wyrwany pad chyba o nr 31(załączę zdjęcia),nie widać bardzo by gdzieś odchodził do jakiegoś elementu lub przelotki ,możliwe że jest nie używany ,lub też załatwiłem płytę przez zły grot podczas czyszczenia.
Kolejna sprawa to czy nie padł też układ EC1001-OD 108 znajdujący się na odwrocie pomiędzy podstawką procesora, gdzieś czytałem że zawiera kondensatory które lubią padać w innych wersjach tych płyt głównych,układ ma 8 padów i każdy z nich jest zwarty do masy

Pin 10 układu TPS51621 jest NC, czyli nigdzie niepodłączony - możesz go pominąć w dalszej "walce". Natomiast to:

przemek2691 napisał(a):Dodatkowo Pady lutownicze źródeł Q3 ,Q4,Q5,Q6 oraz Drenów Q4 i Q5 wykazują przejście do masy w obu kierunkach na teście diodowym

jest nieco bardziej niepokojące. Wylutuj Q4 i Q5 i ponów pomiary rezystancji do masy na padach lutowniczych Q4 i Q5 na płycie.