Informacja na schematach płyt głównych "Do Not add test pad"

Mam pytanie - na schematach płyt np. Hp pojawiają się informacje np. "Do Not add test pad
on BATDIS_G signal".
Z czego to wynika że w danym punkcie nie można dodać test pada i czym grozi zrobienie pomiaru w tym punkcie?

Zdjęcie dla wyjaśnienia

Najczęściej wynika to z tego, że blisko siebie są usytuowane węzły o dużej różnicy potencjałów (napięć). W tym konkretnym przypadku mamy do czynienia z różnicą dochodzącą nawet do 28V, ponieważ sterowanie MOSFETa z kanałem typu N wiąże się z tym, że na jego bramce występuje napięcie co najmniej 5-6V wyższe, niż wynosi napięcie zasilania komputera (napięcie ładowarki). Ze względu na tę różnicę napięć, a także z uwagi na to, że tranzystor na zdjęciu łączy główną gałąź zasilania z gałęzią baterii, w przypadku korozji punktu pomiarowego (który z zasady nie może być polakierowany, jeśli ma być punktem pomiarowym) istnieje spore ryzyko, że tranzystor z przerwanym obwodem bramki podłączyłby zasilacz (19V) do baterii (7-14V), co mogłoby spowodować nawet eksplozję baterii.

Dziękuję za wyjaśnienie