Jak sprawdzić tranzystor UM6K1N czy jest uszkodzony

Witam

Laptop cierpiał na bolączkę w postaci szumów w słuchawkach. Po wymianie dwóch tranzystorów UM6K1N wszystko działa jak należy. Pytanie jak multimetrem sprawdzić te MOSFETy. Multimetr na teście diody, (pomiar na nogach 1 i 6 oraz 3 i 4) nie wskazuje na uszkodzenia.

Poniżej datasheet do MOSFETów
http://rohmfs.rohm.com/en/products/data ... um6k1n.pdf

Pozdrawiam

Odpowiedź znajdziesz w filmiku https://www.youtube.com/watch?v=z5pST1Q6JVI
To co sprawdzałeś to tylko dioda zabezpieczająca.
Polecam kupić np. na aliexpress czy ebayu tester elementów - bardzo szybko można sprawdzić dane elementy, zdecydowanie lepiej niż multimetrem (i szybciej), dostajemy też dużo więcej parametrów.

Macpod
Jakiś konkretny model polecasz? Podratuj linkiem.

Ja kupiłem na aliexpress, wersja z podstawką zif i wyświetlaczem graficznym.
Ofert jest setki.
Tutaj jedynie przykład http://www.aliexpress.com/item/Digital- ... 70367.html
Nie są to może dokładne testery, ale w standardowych zastosowaniach sprawdzają się bardzo dobrze.

Podwójny tranzystor UM6K1N to dwa bliźniacze, niskonapięciowe N-MOSFETy z transilami zabezpieczającymi w obwodach G-S. Wystarczy zatem dokonać kilku pomiarów rezystancji (omomierz ustawiony na 2MΩ) i spadku napięcia (test diody):

1. jako, że bramki w MOSFETach są izolowane, miernik nie powinien wskazać żadnych wartości przy pomiarach G-S oraz G-D (w obu kierunkach i przy obu testach).
2. z uwagi na pasożytnicze złącze PN w obwodzie D-S, test diody w kierunku S-D (plus miernika do źródła, minus do drenu) powinien wykazać obecność zwykłej diody (spadek ok. 450-650mV). W kierunku D-S (plus miernika do drenu, minus do źródła) miernik nie powinien wykazać ani spadku napięcia, ani jakiejkolwiek rezystancji w przyjętym zakresie.
3. ze względu na to, że UM6K1N jest tranzystorem niskonapięciowym (załącza się przy napięciu bramki poniżej 2V), bardzo łatwo otworzyć go poprzez test diody w kierunku G-S (plus miernika na bramkę, minus na źródło). Otwarty w ten sposób tranzystor będzie wykazywał zwarcie (lub niską rezystancję rzędu do kilku Ω) złącza D-S, co może być mylnie interpretowane jako uszkodzenie tranzystora. Z tego względu każdy kolejny pomiar powinien być poprzedzony zwarciem bramki do źródła (potocznie zwanym rozładowaniem bramki).

Mała dygresja do p. 3 - UM6K1N jest tranzystorem z kanałem wzbogacanym (normalnie otwarty). Jednakże istnieją tranzystory z kanałem zubożanym (normalnie zwarty), np. 2N3796. Tego typu tranzystory przewodzą częściowo prąd przy zerowym napięciu złącza G-S. Do zatkania takiego tranzystora potrzebne jest ujemne napięcie bramki względem źródła. W technice komputerowej jednak takie tranzystory nie są praktycznie stosowane.