ASUS FX516P - brak reakcji na podłączenie zasilania

Witam, płyta główna z brakiem reakcji. Brak napięcia za pierwszym tranzystorem PQ8901.
Układ chargera to BQ24800. Nie dochodzi napięcie do pinu 28. Nie za bardzo rozumiem, jakie warunki muszą zostać spełnione na PQ9009 i PD9003 aby te napięcie się pojawiło.

ACDET obecne i ma ok 2.7V

pomiary na gnieździe ładowania przy podłączonym przewodzie od zasilacza (bez napięcia)

A/D_MAX_POWER_R_10 - 38kΩ
P_DC_JACK_DETEC_10 - 0Ω

Przy podaniu napięcia z zasilacza:

A/D_MAX_POWER_R_10 - 0.3V

płyta główna: FX516PR R4.0

Gdzie szukać problemu?

Hello!

Measure the voltages to ground on all pins of transistors PQ9006, PQ9009 and on pins 1, 2, 6 of transistor PQ9008.
Transistors PQ9006, PQ9009 pinout:

PQ9006:
pin1 - 0V
pin2 - 0V
pin3 - 7.7V

PQ9009
pin1 - 101mV
pin2 - 20V
pin3 - 0V

PQ9008
pin1 - 0V
pin2 - 7.7V
pin6 - 0V

Tranzystor PQ9009 na źródle tego tranzystora powinno być napięcie bliskie napięciu zasilacza/baterii (przechodzi poprzez podwójną diodę PD9003). Prawdopodobnie tranzystor (mosfet typu P) jest niewysterowany panuje wysoki potencjał na jego bramce. Wg schematu jest to zabezpieczenie over voltage protection. Coś nie działa w układzie, albo układ się zabezpiecza w wyniku podwyższonego napięcia. Mówimy o tym fragmencie schematu:


Schemat rozrysowany jest fatalnie moim zdaniem, ale jest próbuj.

Pozdrawiam
Michał

msiedlin написав:Schemat rozrysowany jest fatalnie moim zdaniem, ale jest próbuj.

Moim zdaniem wszystko jest OK z tym fragmentem - widać dokładnie, co i gdzie. Możesz przybliżyć temat złego rozrysowania? Nurtuje mnie to trochę, bo masz poziom doświadczenia 4, a na tym poziomie nie powinniśmy widzieć inaczej tego samego schematu. Chyba, że masz na myśli oznaczenia N/A przy elementach, które występują na płycie - to istotnie może być mylące dla osób niedoświadczonych, ale dla osób z SL=4 to nie powinna być żadna niespodzianka.

msiedlin написав:na źródle tego tranzystora powinno być napięcie bliskie napięciu zasilacza/baterii (przechodzi poprzez podwójną diodę PD9003)

Autor podał, że na źródle (pin 2) jest 20V

msiedlin написав:Prawdopodobnie tranzystor (mosfet typu P) jest niewysterowany panuje wysoki potencjał na jego bramce.

Autor podał, że na bramce (pin 1) jest 101mV

domo997 написав:PQ9009
pin1 - 101mV
pin2 - 20V
pin3 - 0V

Te wyniki sugerują symultaniczne uszkodzenie rezystora PR9089 oraz tranzystora PQ9009. Odłącz całkowicie zasilanie, odczekaj 1-2 minuty na rozładowanie się pojemności, a następnie zmierz rezystancję do masy na drenie (pin 3) tranzystora PQ9009, a także pomiędzy jego bramką (pin 2) a źródłem (pin 1). Kolejno, zmierz rezystancję pomiędzy bramką (pin 2) tranzystora PQ9009 a drenem (pin 6) tranzystora PQ9008.

Chodziło mi o to, że schemat jest strasznie pomniejszony trzeba bardzo powiększać co utrudnia czytanie (nie chodziło mi o ten fragment tylko o całość schematu)
I na przykład spróbuj znaleźć gdzie np jest produkowany sygnał P_VCC_OVP_PMOS_R_10 .

Pozdrawiam
Michał

Vogelek23 написав:Chyba, że masz na myśli oznaczenia N/A przy elementach, które występują na płycie

msiedlin написав:I na przykład spróbuj znaleźć gdzie np jest produkowany sygnał P_VCC_OVP_PMOS_R_10

Nigdzie?

msiedlin написав:schemat jest strasznie pomniejszony trzeba bardzo powiększać

Z tym się akurat zgadzam. W dodatku na schemacie, dostępnym na forum, większość linii jest pogrubiona - to dodatkowo pogarsza czytelność schematu. Niemniej jednak trzeba sobie jakoś z tym radzić, dlatego używam programu Adobe Reader, który pozwala na powiększenie do 6400% (przeglądarki mają limit do 500% i ten konkretny schemat nie jest do końca czytelny nawet przy takim powiększeniu).

msiedlin написав:I na przykład spróbuj znaleźć gdzie np jest produkowany sygnał P_VCC_OVP_PMOS_R_10

To jest akurat etykieta węzła, który nie występuje nigdzie indziej. Taka sama sytuacja, jak z węzłami P_VCC_OVP_PMOS_10, P_VCC_OVP_OUT_R_10 czy P_VCC_OVP_OUT_10. Mając SL = 4 z pewnością projektowałeś choć raz dowolną PCB, więc wiesz, że unikalne etykiety na takich pojedynczych węzłach znacznie ułatwiają późniejsza analizę projektu. Wszak etykieta o nazwie P_VCC_OVP_OUT_10 mówi nam dużo więcej o tym węźle, niż wygenerowana automatycznie etykieta np. PR9085_1 (a takie właśnie są nadawane automatycznie przez program do projektowania PCB w przypadku, gdy nie użyjemy własnych etykiet).

Przerwijmy jednak w tym miejscu tę dyskusję, bo wykraczamy znacznie poza ramy wątku - jeśli ktoś ma ochotę kontynuować dyskusję o schematach i etykietach, zapraszam do działu HYDE PARK lub do PIASKOWNICY. A w tym wątku zaczekajmy na odpowiedź autora.

Vogelek23 написав:zmierz rezystancję do masy na drenie (pin 3) tranzystora PQ9009, a także pomiędzy jego bramką (pin 2) a źródłem (pin 1).

PQ9009

pin3 = 10Ω
pin2 - pin1 = 39kΩ

niska rezystancja na pin3 układu PQ9009 była spowodowana uszkodzonym kondensatorem PC9046.

Vogelek23 написав:Kolejno, zmierz rezystancję pomiędzy bramką (pin 2) tranzystora PQ9009 a drenem (pin 6) tranzystora PQ9008.

139kΩ

Niestety po wylutowaniu PC9046 dalej brak napięcia na nodze 28 układu BQ24800.

Pomiary z wylutowanym PC9046:

PQ9006:
pin1 - 0V
pin2 -0V
pin3 - 7.7V

PQ9009
pin1 - 2.8V
pin2 - 20V
pin3 - 2.7V

PQ9008
pin1 - 7.7V
pin2 - 0V
pin6 - 0V

Your voltage measurements seems very strange. For example, pin 1 of the transistor PQ9008 is connected to the ground, but you measured 7.7V on this pin.
Make sure you are using the correct BoardView file and that you performed the measurements on the correct components/pins.
Check all your measurements. If you get the same results, check the measurements with another meter.

Yes, you are right.

PQ9006:
pin1 - 9mV
pin2 -0V
pin3 - 7.7V

PQ9009
pin1 - 2.8V
pin2 - 20V
pin3 - 2.7V

PQ9008
pin1 - 0V
pin2 - 7.7V
pin6 - 0V

With this measurements, the transistor PQ9009 (RSM002P03) is damaged. Replace it.

Niestety ciężko z jego dostępnością. Muszę przewertować płyty - dawcy.
Ewentualnie proponujecie jakiś zamiennik?

domo997 написав:Ewentualnie proponujecie jakiś zamiennik?

It's quite difficult to find a replacement transistor in such a small package with at least 30V Vds breakdown voltage and 200mA drain current.
The original transistor (RSM002P03) is available at Mouser and DigiKey.

domo997 написав:Ewentualnie proponujecie jakiś zamiennik?

Przydatna lektura: post198619.html#p198619. Istotnym parametrem w tym konkretnym przypadku jest maksymalny prąd drenu 200mA (wiele zamienników w tej obudowie oferuje ID = 100mA) oraz maksymalne napięcie między bramką a źródłem VGS (wiele zamienników ma to napięcie na poziomie ±8V, natomiast tutaj potrzebujesz co najmniej ±10V).

matic написав:With this measurements, the transistor PQ9009 (RSM002P03) is damaged. Replace it.

Zgadza się! Po wymianie układu laptop wstał i działa. Dziękuję!